一、主要内容
2023年9月1日，荷兰政府于6月颁布的针对半导体制造设备的出口管制措施正式生效。此前，2022年10月7日，美国对先进制程芯片及相关制造设备实施出口管制；2023年7月23日，日本将6大类23个品类的先进半导体制造设备列入出口管制清单。
据中国海关总署数据显示，2023年6月和7月，中国半导体制造设备进口总额约50亿美元，较去年同期的29亿美元增长了70%，其中大部分半导体设备进口自荷兰和日本。
2022年，中国光刻机进口总额为39.63亿美元，其中从荷兰进口额为25.48亿美元，占比64.3%。2023年1月-7月，荷兰出口管制规定生效前，中国从荷兰进口光刻机金额为25.86亿美元，同比增长64.8%；其中，7月份进口额为6.26亿美元，同比增长近8倍。
荷兰光刻机制造商阿斯麦（ASML）表示，荷兰政府已颁发其截至9月1日所需的许可证，允许ASML在今年年底前，继续发运TWINSCAN NXT：2000i及后续推出的浸润式光刻系统（涉及16nm及以下制程工艺制造部分）。自2024年1月1日起，ASML将基本无法获得向中国客户发运上述光刻设备的出口许可证。
相关背景
荷兰《先进半导体生产设备法规》规定，半导体设备厂商将指定半导体生产设备出口到欧盟以外的目的地，须申请出口许可；但从荷兰到其他欧盟成员国的内部转移不受该措施约束。法规共涉及8个物项，详见下表：
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序号 |
编号 |
物项 |
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1 |
3B001.l |
EUV薄膜 |
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2 |
3B001.m |
EUV薄膜生产设备 |
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3 |
3B001.f.4 |
符合特定技术规范，具有下述任一项或两项特征的，使用光电或X射线方法对准和曝光芯片的直接步进式芯片或扫描仪光刻设备： （1）光源的波长小于193nm； （2）光源的波长等于或大于193nm： 1.能够产生具有45nm或更小的最小可分辨特征尺寸（MRF）的图案； 最小可分辨特征尺寸（MRF）应根据以下公式计算： 其中K因子0.25，（MRF）与分辨率相同。 2.最大专用卡盘覆盖值（DCO，即通过相同的光刻系统在芯片上曝光的现有图案上对准新图案的准确度）小于或等于1.50nm。 |
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4 |
3B001.d.12 |
符合特定技术规范，用于金属剥离的原子层沉积（ALD）设备： （1）具有以下所有特征： 1.一种以上的金属源，其中一种是以铝（Al）为前体设计的； 2.具有温度高于45℃的进料容器。 （2）设计用于沉积具有以下所有特征的金属材料： 1.沉积碳化钛铝（TiAlC）； 2.可以使晶体管势垒高于4.0ev的金属材料。 |
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5 |
3B001.a.4 |
符合特定技术规范，具有下述所有特征，用于硅(Si)、碳掺杂硅、硅锗(SiGe)或碳掺杂硅锗的外延生长的设备： （1）在工艺步骤之间保持高真空（小于或等于0.01Pa）或惰性气氛（水和氧分压小于0.01PA）的多个腔室和装置； （2）至少有一个用于清洁晶圆表面的预处理室； （3）外延沉积工作温度为685℃或以下。 |
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6 |
3B001.d.19 |
设计用于通过无空隙等离子体增强低k电介质层沉积的设备，其空隙宽度小于25纳米，深度与高度比（AR）等于或大于1:1，介电常数小于3.3的金属线之间。 |
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7 |
3D007 |
开发、生产或使用上述1-6规定的设备而设计的软件。 |
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8 |
3E005 |
开发、生产或使用上述1-6规定的设备所需的技术。 |
二、中国企业应关注的重点
建议芯片制造商及其上下游从事芯片设计、芯片封装、芯片应用等企业高度关注此信息，尤其是涉及上述表内芯片设备的企业。建议相关企业及时调整采购、制造、销售和应用等环节的供应链管理策略。
（信息来源：荷兰官方公报、中国海关总署等官方网站）
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